BFP780H6327XTSA1
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| Teilenummer | BFP780H6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP780H6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.042 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 17 - Jul 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP780H6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP780H6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP780H6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 6.1V |
| Frequenz - Übergang | 900MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz |
| Gewinn | 27dB |
| Leistung - max | 600mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 85 @ 90mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | SOT343-4-2 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 21.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 20W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Betriebstemperatur 200°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M113 Lieferantengerätepaket M113 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 9dB Leistung - max 1944W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Betriebstemperatur 230°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55SM Lieferantengerätepaket 55SM |
