BFR 740L3 E6327
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFR 740L3 E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFR-740L3-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.390 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFR 740L3 E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR 740L3 E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BFR 740L3 E6327, BFR 740L3 E6327 Datenblatt
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BFR 740L3 E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 42GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz |
| Gewinn | 24dB |
| Leistung - max | 160mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSLP-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2.4GHz Gewinn 13.1dB Leistung - max 220mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 155 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Frequenz - Übergang 2.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 5.6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55BT Lieferantengerätepaket 55BT |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
