BFR750L3RHE6327XTSA1
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| Teilenummer | BFR750L3RHE6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR750L3RHE6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.762 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 4 - Jun 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR750L3RHE6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR750L3RHE6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BFR750L3RHE6327XTSA1, BFR750L3RHE6327XTSA1 Datenblatt
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BFR750L3RHE6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 37GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Gewinn | 21dB |
| Leistung - max | 360mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 60mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 90mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSLP-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
