BFR750L3RHE6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFR750L3RHE6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR750L3RHE6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.762 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 23 - Jul 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
BFR750L3RHE6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | BFR750L3RHE6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BFR750L3RHE6327XTSA1, BFR750L3RHE6327XTSA1 Datenblatt
(Total Pages: 8, Größe: 76,88 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- BFR750L3RHE6327XTSA1 Datasheet
- where to find BFR750L3RHE6327XTSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies BFR750L3RHE6327XTSA1
- BFR750L3RHE6327XTSA1 PDF Datasheet
- BFR750L3RHE6327XTSA1 Stock
- BFR750L3RHE6327XTSA1 Pinout
- Datasheet BFR750L3RHE6327XTSA1
- BFR750L3RHE6327XTSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- BFR750L3RHE6327XTSA1 Price
- BFR750L3RHE6327XTSA1 Distributor
BFR750L3RHE6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 37GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Gewinn | 21dB |
| Leistung - max | 360mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 60mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 90mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSLP-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.4dB Leistung - max 220W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.52A Betriebstemperatur 200°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M220 Lieferantengerätepaket M220 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB @ 200MHz Gewinn - Leistung - max 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket USM |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
