BFS 469L6 E6327
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| Teilenummer | BFS 469L6 E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFS-469L6-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS 2 NPN 5V/10V 9GHZ TSLP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.536 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFS 469L6 E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS 469L6 E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFS 469L6 E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V, 10V |
| Frequenz - Übergang | 22GHz, 9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
| Gewinn | 14.5dB |
| Leistung - max | 200mW, 250mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA, 70mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN |
| Lieferantengerätepaket | TSLP-6-1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz Gewinn 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-81 Lieferantengerätepaket 3-SSFP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 12.5dB ~ 19dB Leistung - max 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9.5dB Leistung - max 21.9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M105 Lieferantengerätepaket M105 |
