BFS17,215
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| Teilenummer | BFS17,215 |
| PNEDA Teilenummer | BFS17-215 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.574 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFS17 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS17,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFS17 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 1GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 500MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 2mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB ~ 10dB Leistung - max 2500W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 600mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55ST-1 Lieferantengerätepaket 55ST-1 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10.16dB ~ 10.25dB Leistung - max 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.3A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6dB ~ 6.5dB Leistung - max 1700W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55KT Lieferantengerätepaket 55KT |
