BFU530XAR
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| Teilenummer | BFU530XAR |
| PNEDA Teilenummer | BFU530XAR |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.496 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFU530XAR Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU530XAR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU530XAR Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 11GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.7dB @ 900MHz |
| Gewinn | 22dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-253-4, TO-253AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143B |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn 23dB Leistung - max 135mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 8.5dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 4.5dB @ 450MHz Gewinn 21dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 37GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 10.5dB ~ 21.5dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
