BGR420H6327XTSA1
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| Teilenummer | BGR420H6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BGR420H6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 13V SOT343-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.244 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 7 - Jun 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BGR420H6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BGR420H6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BGR420H6327XTSA1, BGR420H6327XTSA1 Datenblatt
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BGR420H6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 13V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 120mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT343-4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 22dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-143R Lieferantengerätepaket PG-SOT143R-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 800MHz Gewinn - Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 9V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 836MHz Gewinn 11.6dB Leistung - max 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6dB Leistung - max 2900W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55KV Lieferantengerätepaket 55KV |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
