BLF7G10L-250,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF7G10L-250,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF7G10L-250-112 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.228 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BLF7G10L-250 Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF7G10L-250,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLF7G10L-250 Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 920MHz ~ 960MHz |
| Gewinn | 19.5dB |
| Spannungstest | 30V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.8A |
| Leistung - Leistung | 60W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502A |
| Lieferantengerätepaket | LDMOST |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.96GHz Gewinn 13dB Spannungstest 26V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 300mA Leistung - Leistung 30W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-400 Lieferantengerätepaket NI-400 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 960MHz Gewinn 17.5dB Spannungstest 26V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 700mA Leistung - Leistung 100W Spannung - Nennspannung 68V Paket / Fall TO-272BB Lieferantengerätepaket TO-272 WB-4 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp E-pHEMT Frequenz 2GHz Gewinn 16dB Spannungstest 4.5V Nennstrom (Ampere) 500mA Rauschzahl 1.5dB Stromtest 200mA Leistung - Leistung 27dBm Spannung - Nennspannung 7V Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
