BLF8G24LS-200P,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF8G24LS-200P,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF8G24LS-200P-112 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.592 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF8G24LS-200P Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF8G24LS-200P,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
BLF8G24LS-200P, BLF8G24LS-200P Datenblatt
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BLF8G24LS-200P Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| Gewinn | 17.2dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.74A |
| Leistung - Leistung | 60W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT539B |
| Lieferantengerätepaket | SOT539B |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp pHEMT FET Frequenz 2GHz Gewinn 16.6dB Spannungstest 3V Nennstrom (Ampere) 120mA Rauschzahl 0.5dB Stromtest 60mA Leistung - Leistung 20.4dBm Spannung - Nennspannung 5V Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie * Transistortyp - Frequenz - Gewinn - Spannungstest - Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest - Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie GaN Transistortyp HEMT Frequenz 8GHz Gewinn 16.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 200mA Leistung - Leistung 30W Spannung - Nennspannung 84V Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
