BR93L76RFVT-WE2
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| Teilenummer | BR93L76RFVT-WE2 |
| PNEDA Teilenummer | BR93L76RFVT-WE2 |
| Beschreibung | IC EEPROM 8K SPI 2MHZ 8TSSOP |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.676 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BR93L76RFVT-WE2 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BR93L76RFVT-WE2 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
BR93L76RFVT-WE2, BR93L76RFVT-WE2 Datenblatt
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BR93L76RFVT-WE2 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Speichergröße | 8Kb (512 x 16) |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 2MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 5ms |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.8V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP-B |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-TBGA Lieferantengerätepaket 64-TBGA (10x13) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - FP Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 42-SOJ |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 12ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 144-LQFP Exposed Pad Lieferantengerätepaket 144-TQFP (20x20) |
