BSC042NE7NS3GATMA1
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| Teilenummer | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC042NE7NS3GATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSC042NE7NS3GATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 37.5V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-1 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 230mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 400mW (Ta), 1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92-3 Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 255W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
