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BSC072N03LDGATMA1

BSC072N03LDGATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSC072N03LDGATMA1
PNEDA Teilenummer BSC072N03LDGATMA1
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.644
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BSC072N03LDGATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSC072N03LDGATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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BSC072N03LDGATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 15V
Leistung - max57W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPG-TDSON-8-4

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.1A, 12.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.3A, 4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

Leistung - max

330mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A, 6.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

472pF @ 15V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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