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BSD816SNL6327HTSA1

BSD816SNL6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSD816SNL6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BSD816SNL6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Hersteller Infineon Technologies
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BSD816SNL6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSD816SNL6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BSD816SNL6327HTSA1, BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 472,03 KB)
PDFBSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Cover
BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Seite 2 BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Seite 3 BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Seite 4 BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Seite 5 BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Seite 6 BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Seite 7 BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Seite 8 BSD816SNL6327HTSA1 Datenblatt Seite 9

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BSD816SNL6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 2.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)500mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

NP32N055SLE-E1-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.2W (Ta), 66W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252 (MP-3ZK)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STFU18N60M2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRFR120TRL

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CSD16570Q5B

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.59mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 195W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSON-CLIP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

B1100-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA

HX5008NLT

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Pulse Electronics Network

TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT

LPC3250FET296/01,5

LPC3250FET296/01,5

NXP

IC MCU 16/32BIT ROMLESS 296TFBGA

LT1963AEST-1.8#PBF

LT1963AEST-1.8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 1.8V 1.5A SOT223-3

0ZCJ0025AF2E

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Bel Fuse

PTC RESET FUSE 24V 250MA 1206

LTC4300A-1CMS8#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC ACCELERATOR I2C HOTSWAP 8MSOP

ADP2107ACPZ-1.2-R7

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Analog Devices

IC REG BUCK 1.2V 2A 16LFCSP

1SMB5925BT3G

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ON Semiconductor

DIODE ZENER 10V 3W SMB

MX25V1635FZNI

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Macronix

IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON

SMAZ18-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE ZENER 18V 1W SMA

NC7WZ17P6X

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