BSL802SNL6327HTSA1
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| Teilenummer | BSL802SNL6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSL802SNL6327HTSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.884 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSL802SNL6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSL802SNL6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSL802SNL6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 2.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1347pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSOP-6-6 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
