BSM150GB120DN2HOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSM150GB120DN2HOSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BSM150GB120DN2HOSA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 5.920 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 9 - Jun 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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BSM150GB120DN2HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM150GB120DN2HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM150GB120DN2HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 210A |
| Leistung - max | 1250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2.8mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.45nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
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