BSM200GB60DLCHOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSM200GB60DLCHOSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BSM200GB60DLCHOSA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT MODULE 600V 230A | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.742 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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BSM200GB60DLCHOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM200GB60DLCHOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
BSM200GB60DLCHOSA1, BSM200GB60DLCHOSA1 Datenblatt
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BSM200GB60DLCHOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 230A |
| Leistung - max | 730W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500A Leistung - max 1500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 17.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP6 |
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