BSM50GB120DN2HOSA1
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| Teilenummer | BSM50GB120DN2HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM50GB120DN2HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 2 MED POWER 34MM-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.812 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 27 - Jun 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM50GB120DN2HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM50GB120DN2HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM50GB120DN2HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 78A |
| Leistung - max | 400W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
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