BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 29 - Jun 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Leistung - max | 350W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 183A Leistung - max 630W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
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