BSP225,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSP225,115 |
| PNEDA Teilenummer | BSP225-115 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 34.272 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSP225 Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSP225,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BSP225 Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 225mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-73 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 52V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 35V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.69W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 167W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK-3 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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