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BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer BSS8402DW-7-F
PNEDA Teilenummer BSS8402DW-7-F
Beschreibung MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Hersteller Diodes Incorporated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 28 - Jul 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSS8402DW-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSS8402DW-7-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSS8402DW-7-F, BSS8402DW-7-F Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 451,35 KB)
PDFBSS8402DW-7 Datenblatt Cover
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BSS8402DW-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V, 50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.115mA, 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung - max200mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V

Leistung - max

3.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

2N7002DW-13-G

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.2A (Ta), 8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

641pF @ 15V, 1241pF @ 15V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FDG6302P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 140mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

DMC3061SVT-13

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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