BSZ110N06NS3GATMA1
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| Teilenummer | BSZ110N06NS3GATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSZ110N06NS3GATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 254.220 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSZ110N06NS3GATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSZ110N06NS3GATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSZ110N06NS3GATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 23µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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