BUK654R6-55C,127
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| Teilenummer | BUK654R6-55C,127 |
| PNEDA Teilenummer | BUK654R6-55C-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.128 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK654R6-55C Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK654R6-55C,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BUK654R6-55C Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7750pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 204W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller IXYS Serie Polar™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1207pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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