BUK7624-55,118
Nur als Referenz
| Teilenummer | BUK7624-55,118 |
| PNEDA Teilenummer | BUK7624-55-118 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 45A D2PAK |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.104 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 12 - Jul 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
BUK7624-55 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | BUK7624-55,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- BUK7624-55,118 Datasheet
- where to find BUK7624-55,118
- NXP
- NXP BUK7624-55,118
- BUK7624-55,118 PDF Datasheet
- BUK7624-55,118 Stock
- BUK7624-55,118 Pinout
- Datasheet BUK7624-55,118
- BUK7624-55,118 Supplier
- NXP Distributor
- BUK7624-55,118 Price
- BUK7624-55,118 Distributor
BUK7624-55 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 45A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 103W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46.8nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2051pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92MOD Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 292pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FN Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
