BUK951R9-40E,127
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| Teilenummer | BUK951R9-40E,127 |
| PNEDA Teilenummer | BUK951R9-40E-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.226 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK951R9-40E Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK951R9-40E,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUK951R9-40E Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16400pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 349W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 520mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 0.95V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DFN0606-3 (SOT8001) Paket / Fall 3-XFDFN |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3470pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
