BUL128D-B
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| Teilenummer | BUL128D-B |
| PNEDA Teilenummer | BUL128D-B |
| Beschreibung | TRANS NPN 400V 4A TO-220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.238 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUL128D-B Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUL128D-B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BUL128D-B Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 400V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1A, 4A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V |
| Leistung - max | 70W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 1V Leistung - max 60W Frequenz - Übergang 32MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V Leistung - max 960mW Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SC-73 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 5V Leistung - max 25W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 1A, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-226-3 |
