BYC8B-600PJ
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| Teilenummer | BYC8B-600PJ |
| PNEDA Teilenummer | BYC8B-600PJ |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK |
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.498 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BYC8B-600PJ Ressourcen
| Marke | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BYC8B-600PJ |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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BYC8B-600PJ Technische Daten
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.4V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 18ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 20µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 125V Current - Average Rectified (Io) 150mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1nA @ 125V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AA Lieferantengerätepaket DO-213AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/279 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3000V Current - Average Rectified (Io) 250mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 5V @ 250mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall S, Axial Lieferantengerätepaket S, Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2000V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 300ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 2000V Kapazität @ Vr, F. 5pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Z-Rec® Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 31A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 10A Kapazität @ Vr, F. 1000F @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
