BYT53F-TAP
Nur als Referenz
| Teilenummer | BYT53F-TAP |
| PNEDA Teilenummer | BYT53F-TAP |
| Beschreibung | DIODE AVALANCHE 300V 1.9A SOD57 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.750 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BYT53F-TAP Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BYT53F-TAP |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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BYT53F-TAP Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Avalanche |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.9A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 300V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | SOD-57, Axial |
| Lieferantengerätepaket | SOD-57 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 800mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 800mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
