CAS100H12AM1
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| Teilenummer | CAS100H12AM1 |
| PNEDA Teilenummer | CAS100H12AM1 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.960 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CAS100H12AM1 Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CAS100H12AM1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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CAS100H12AM1 Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-FET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 168A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 50mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 800V |
| Leistung - max | 568W |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket TUMT5 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.8W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 6-WLCSP (2x1.49) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V Leistung - max 600mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket TSMT8 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V Leistung - max 390W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V Leistung - max 820mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSOT-26 |
