CAS100H12AM1
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| Teilenummer | CAS100H12AM1 |
| PNEDA Teilenummer | CAS100H12AM1 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.960 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CAS100H12AM1 Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CAS100H12AM1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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CAS100H12AM1 Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-FET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 168A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 50mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 800V |
| Leistung - max | 568W |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.8W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 6-WLCSP (2x1.49) |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A, 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie LITTLE FOOT® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A, 10.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 3.3W, 3.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 540mA, 420mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 590mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
