CAS120M12BM2
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| Teilenummer | CAS120M12BM2 |
| PNEDA Teilenummer | CAS120M12BM2 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.344 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CAS120M12BM2 Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CAS120M12BM2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CAS120M12BM2 Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-Rec® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 193A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 120A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 378nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
| Leistung - max | 925W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V Leistung - max 780W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 5.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 3.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 5.5V Leistung - max 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-UFLGA, CSP Lieferantengerätepaket 20-WLCSP (2.48x1.17) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 20V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Lieferantengerätepaket TO-252-4L |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V, 200nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Leistung - max 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (6x5) |
