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CAV25020VE-GT3

CAV25020VE-GT3

Nur als Referenz

Teilenummer CAV25020VE-GT3
PNEDA Teilenummer CAV25020VE-GT3
Beschreibung IC EEPROM 2K SPI 10MHZ 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.514
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 26 - Mai 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CAV25020VE-GT3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAV25020VE-GT3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAV25020VE-GT3, CAV25020VE-GT3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 252,85 KB)
PDFCAV25040YE-GT3 Datenblatt Cover
CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 2 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 3 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 4 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 5 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 6 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 7 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 8 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 9 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 10 CAV25040YE-GT3 Datenblatt Seite 11

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CAV25020VE-GT3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (256 x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz10MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM - FP

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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