CJ3139KDW-G
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| Teilenummer | CJ3139KDW-G |
| PNEDA Teilenummer | CJ3139KDW-G |
| Beschreibung | MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363 |
| Hersteller | Comchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 55.578 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CJ3139KDW-G Ressourcen
| Marke | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CJ3139KDW-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CJ3139KDW-G Technische Daten
| Hersteller | Comchip Technology |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 660mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 16V |
| Leistung - max | 150mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V Leistung - max 400mW Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SC-89-6 |
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