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CMLDM7003G TR

CMLDM7003G TR

Nur als Referenz

Teilenummer CMLDM7003G TR
PNEDA Teilenummer CMLDM7003G-TR
Beschreibung MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 8.244
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CMLDM7003G TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCMLDM7003G TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
CMLDM7003G TR, CMLDM7003G TR Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 723,25 KB)
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CMLDM7003G TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.76nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

750mV @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

259pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

PG-TSOP-6-6

NVMFD5485NLWFT3G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Leistung - max

2.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NVMFD5C446NWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta), 127A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 25V

Leistung - max

3.2W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

APTM08TDUM04PG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4530pF @ 25V

Leistung - max

138W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

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SIZ350DT-T1-GE3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18.5A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 15V

Leistung - max

3.7W (Ta), 16.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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