Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

CPH3348-TL-W

CPH3348-TL-W

Nur als Referenz

Teilenummer CPH3348-TL-W
PNEDA Teilenummer CPH3348-TL-W
Beschreibung MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.534
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CPH3348-TL-W Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCPH3348-TL-W
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
CPH3348-TL-W, CPH3348-TL-W Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 605,79 KB)
PDFCPH3348-TL-E Datenblatt Cover
CPH3348-TL-E Datenblatt Seite 2 CPH3348-TL-E Datenblatt Seite 3 CPH3348-TL-E Datenblatt Seite 4 CPH3348-TL-E Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • CPH3348-TL-W Datasheet
  • where to find CPH3348-TL-W
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor CPH3348-TL-W
  • CPH3348-TL-W PDF Datasheet
  • CPH3348-TL-W Stock

  • CPH3348-TL-W Pinout
  • Datasheet CPH3348-TL-W
  • CPH3348-TL-W Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • CPH3348-TL-W Price
  • CPH3348-TL-W Distributor

CPH3348-TL-W Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 6V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket3-CPH
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI3460BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMTH4004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4305pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.7W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APTM120DA15G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

748nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP6

Paket / Fall

SP6

IPP60R190C6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 630µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

151W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IGOT60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolGaN™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 2.6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-20-87

Paket / Fall

20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

Kürzlich verkauft

DS5000-32-16+

DS5000-32-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40EDIP

T520V337M2R5ATE009

T520V337M2R5ATE009

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

FW2500025Z

FW2500025Z

Diodes Incorporated

CRYSTAL 25MHZ 20PF SMD

4608X-102-471LF

4608X-102-471LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 470 OHM 8SIP

TL431ACLP

TL431ACLP

ON Semiconductor

IC VREF SHUNT ADJ TO92-3

HOA2003-001

HOA2003-001

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR OPTICAL 2.54MM MOD SLOT

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

MCP6566UT-E/OT

MCP6566UT-E/OT

Microchip Technology

IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5

SMBJ12CA-TR

SMBJ12CA-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 12V 25.3V SMB

LTM4605IV#PBF

LTM4605IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

IHLP2525CZERR33M01

IHLP2525CZERR33M01

Vishay Dale

FIXED IND 330NH 20A 3.9 MOHM SMD

ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8MSOP