CSD16301Q2
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| Teilenummer | CSD16301Q2 |
| PNEDA Teilenummer | CSD16301Q2 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 6-SON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 323.046 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD16301Q2 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD16301Q2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD16301Q2 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 4A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 12.5V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-SON |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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