CSD17573Q5BT
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| Teilenummer | CSD17573Q5BT |
| PNEDA Teilenummer | CSD17573Q5BT |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 116.694 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD17573Q5BT Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD17573Q5BT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD17573Q5BT Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 130W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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