CSD19506KTTT
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| Teilenummer | CSD19506KTTT |
| PNEDA Teilenummer | CSD19506KTTT |
| Beschreibung | IC MOSFET N-CH 80V TO-220 |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.192 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD19506KTTT Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD19506KTTT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD19506KTTT Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 200A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12200pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DDPAK/TO-263-3 |
| Paket / Fall | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
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