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CSD22206W

CSD22206W

Nur als Referenz

Teilenummer CSD22206W
PNEDA Teilenummer CSD22206W
Beschreibung 8V P-CHANNEL FEMTOFET
Hersteller Texas Instruments
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CSD22206W Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCSD22206W
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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CSD22206W Technische Daten

Hersteller
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.05V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)-6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2275pF @ 4V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.7W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket9-DSBGA (1.5x1.5)
Paket / Fall9-UFBGA, DSBGA

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SPD04N60C3BTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AUIRF7769L2TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

375A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 74A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11560pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET L8

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric L8

CSD17311Q5

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs (Max)

+10V, -8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4280pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSON-CLIP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

STI32N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

119mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3320pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI3400A-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.155nF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

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MC68HC908GP32CFB

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NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

744043101

744043101

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FIXED IND 100UH 510MA 600 MOHM

B560CQ-13-F

B560CQ-13-F

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