CSD86336Q3DT
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| Teilenummer | CSD86336Q3DT |
| PNEDA Teilenummer | CSD86336Q3DT |
| Beschreibung | SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 11.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD86336Q3DT Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD86336Q3DT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD86336Q3DT Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
| Leistung - max | 6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSON (3.3x3.3) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
