CSD87355Q5D
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| Teilenummer | CSD87355Q5D |
| PNEDA Teilenummer | CSD87355Q5D |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8LSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.640 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD87355Q5D Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD87355Q5D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD87355Q5D Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 15V |
| Leistung - max | 12W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-LSON (5x6) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 25V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
