CSD88539ND
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| Teilenummer | CSD88539ND |
| PNEDA Teilenummer | CSD88539ND |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 11.697 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD88539ND Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD88539ND |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD88539ND Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 741pF @ 30V |
| Leistung - max | 2.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 37.1pF @ 10V Leistung - max 450mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 882.51pF @ 6V Leistung - max 1.15W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-26 |
