CY62126EV30LL-55ZSXE
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY62126EV30LL-55ZSXE |
| PNEDA Teilenummer | CY62126EV30LL-55ZSXE |
| Beschreibung | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.796 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY62126EV30LL-55ZSXE Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY62126EV30LL-55ZSXE |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY62126EV30LL-55ZSXE, CY62126EV30LL-55ZSXE Datenblatt
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CY62126EV30LL-55ZSXE Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | MoBL® |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 1Mb (64K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
| Zugriffszeit | 55ns |
| Spannung - Versorgung | 2.2V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 44-TSOP II |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 2Kb (128 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie FL-S Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 66MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-TBGA Lieferantengerätepaket 24-BGA (8x6) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5.0ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-VFBGA Lieferantengerätepaket 90-VFBGA (9x13) |
