CY62136EV30LL-45BVXI
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY62136EV30LL-45BVXI |
| PNEDA Teilenummer | CY62136EV30LL-45BVXI |
| Beschreibung | IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.402 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY62136EV30LL-45BVXI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY62136EV30LL-45BVXI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY62136EV30LL-45BVXI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | MoBL® |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 2Mb (128K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
| Zugriffszeit | 45ns |
| Spannung - Versorgung | 2.2V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5.0ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 240-WFBGA Lieferantengerätepaket 240-WFBGA (14x14) |
