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CY62147EV18LL-45BVXI

CY62147EV18LL-45BVXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY62147EV18LL-45BVXI
PNEDA Teilenummer CY62147EV18LL-45BVXI
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.562
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 21 - Jul 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY62147EV18LL-45BVXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62147EV18LL-45BVXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62147EV18LL-45BVXI, CY62147EV18LL-45BVXI Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 386,17 KB)
PDFCY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Cover
CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 2 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 3 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 4 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 5 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 6 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 7 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 8 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 9 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 10 CY62147EV18LL-45BVXIT Datenblatt Seite 11

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CY62147EV18LL-45BVXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.25V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-VFBGA
Lieferantengerätepaket48-VFBGA (6x8)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

750ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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54-TSOP II

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (512 Bytes x 8192 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Volatile

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Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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