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CY62256NL-70SNXI

CY62256NL-70SNXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY62256NL-70SNXI
PNEDA Teilenummer CY62256NL-70SNXI
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 17
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CY62256NL-70SNXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62256NL-70SNXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62256NL-70SNXI, CY62256NL-70SNXI Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 574,34 KB)
PDFCY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Cover
CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 2 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 3 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 4 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 5 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 6 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 7 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 8 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 9 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 10 CY62256NLL-55ZRXET Datenblatt Seite 11

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CY62256NL-70SNXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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