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CY7C1021CV33-12VC

CY7C1021CV33-12VC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1021CV33-12VC
PNEDA Teilenummer CY7C1021CV33-12VC
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 5.040
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY7C1021CV33-12VC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1021CV33-12VC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1021CV33-12VC, CY7C1021CV33-12VC Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 231,23 KB)
PDFCY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Cover
CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 2 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 3 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 4 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 5 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 6 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 7 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 8 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 9 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 10 CY7C1021CV33-15ZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1021CV33-12VC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

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