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CY7C1231H-133AXC

CY7C1231H-133AXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1231H-133AXC
PNEDA Teilenummer CY7C1231H-133AXC
Beschreibung IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.356
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1231H-133AXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1231H-133AXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1231H-133AXC, CY7C1231H-133AXC Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 512,8 KB)
PDFCY7C1231H-133AXC Datenblatt Cover
CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 2 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 3 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 4 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 5 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 6 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 7 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 8 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 9 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 10 CY7C1231H-133AXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1231H-133AXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße2Mb (128K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AT29C257-12JI-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LBGA

Lieferantengerätepaket

100-LBGA (14x18)

MT46V128M4BN-5B:F

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (128M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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