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CY7C1315JV18-300BZXC

CY7C1315JV18-300BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1315JV18-300BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1315JV18-300BZXC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.500
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1315JV18-300BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1315JV18-300BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1315JV18-300BZXC, CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt (Total Pages: 27, Größe: 683,98 KB)
PDFCY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Cover
CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1315JV18-300BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1315JV18-300BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

AL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Wafer

DS2430AP+T&R

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256b (32 x 8)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

Lieferantengerätepaket

6-TSOC

AT28C64B-15JU-235

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (11.43x13.97)

7140LA25JI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

52-PLCC (19.13x19.13)

S34MS01G104BHI910

SkyHigh Memory Limited

Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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