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CY7C1319CV18-250BZC

CY7C1319CV18-250BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1319CV18-250BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1319CV18-250BZC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.860
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1319CV18-250BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1319CV18-250BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1319CV18-250BZC, CY7C1319CV18-250BZC Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 720,96 KB)
PDFCY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Cover
CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1321CV18-167BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1319CV18-250BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-L

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

66MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-BGA (8x6)

S34ML02G204TFI013

SkyHigh Memory Limited

Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

16Gb (256M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

7005S15PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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