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CY7C136-25JXCT

CY7C136-25JXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C136-25JXCT
PNEDA Teilenummer CY7C136-25JXCT
Beschreibung IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.744
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C136-25JXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C136-25JXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C136-25JXCT, CY7C136-25JXCT Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 358,32 KB)
PDFCY7C136A-55NXIT Datenblatt Cover
CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 2 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 3 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 4 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 5 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 6 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 7 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 8 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 9 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 10 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 11

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CY7C136-25JXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall52-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket52-PLCC (19.13x19.13)

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

NVSRAM

Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

34-LPM

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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