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CY7C136-55JXC

CY7C136-55JXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C136-55JXC
PNEDA Teilenummer CY7C136-55JXC
Beschreibung IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C136-55JXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C136-55JXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C136-55JXC, CY7C136-55JXC Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 358,32 KB)
PDFCY7C136A-55NXIT Datenblatt Cover
CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 2 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 3 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 4 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 5 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 6 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 7 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 8 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 9 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 10 CY7C136A-55NXIT Datenblatt Seite 11

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CY7C136-55JXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall52-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket52-PLCC (19.13x19.13)

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Betriebstemperatur

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (16M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.066GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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